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[1]韩 芬,张艳肖.SiC MOSFET在Buck变换器中的应用[J].工业仪表与自动化装置,2022,(01):3-7.[doi:10.19950/j.cnki.cn61-1121/th.2022.01.001]
　HAN Fen,ZHANG Yanxiao.Application of SiC MOSFET in Buck Converter[J].Industrial Instrumentation & Automation,2022,(01):3-7.[doi:10.19950/j.cnki.cn61-1121/th.2022.01.001]
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SiC MOSFET在Buck变换器中的应用

《工业仪表与自动化装置》[ISSN:1000-0682/CN:61-1121/TH]

卷:
期数:
2022年01期
页码:
3-7
栏目:
出版日期:
2022-02-15

文章信息/Info

Title:
Application of SiC MOSFET in Buck Converter
文章编号:
1000-0682（2022）01-0000-00
作者:
韩 芬; 张艳肖
西安交通大学城市学院 电气与信息工程系，陕西 西安 710018
Author(s):
HAN Fen; ZHANG Yanxiao
(Department of Electrical and Information Engineering，Xi’an Jiaotong University City College，Shaanxi Xi’an 710018,China)
关键词:
SiC MOSFET; 开关特性; 开关损耗
Keywords:
SiC MOSFET;  Switching characteristics;  Switching loss
分类号:
TN386
DOI:
10.19950/j.cnki.cn61-1121/th.2022.01.001
文献标志码:
A
摘要:
第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、工作频率高和工作温度高等优点，已成为高温、高压、高频等特殊场合的理想器件。该文设计了一种SiC MOSFET的驱动电路，利用软件PSpice仿真测试SiC MOSFET的开关特性，以及驱动电阻对SiC MOSFET的影响。搭建Buck实验电路，测试SiC MOSFET和Si IGBT两种功率器件不同占空比对应的负载电压，以及不同的输入电压和开关频率对应功率器件的壳温。实验结果表明SiC MOSFET比Si IGBT开关速度快、开关损耗小以及负载电压误差小。
Abstract:
The third generation power semiconductor device silicon carbide MOSFET has the advantages of fast switching speed,wide band gap,low power consumption, small on-resistance,high operating frequency and high operating temperature, has become an ideal device for high temperature, high voltage, high frequency and other special occasions. This paper designs a driver circuit of SiC MOSFET, the switching characteristics of SiC MOSFET and the effect of driving resistance on SiC MOSFET were simulated by using PSpice software. A Buck experimental circuit was built to test the load voltage corresponding to different duty cycle of SiC MOSFET and Si IGBT power devices, and the shell temperature of the power devices corresponding to different input voltages and switching frequencies. The experimental results show that the SiC MOSFET has higher switching speed,less switching loss and less load voltage error than Si IGBT.

参考文献/References:

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相似文献/References:

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　HAN Fen,ZHANG Yan-xiao,SHI Hao.Application of SiC MOSFET in Boost Circuit[J].Industrial Instrumentation & Automation,2021,(01):65.[doi:10.19950/j.cnki.cn61-1121/th.2021.06.012]

备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期：2021-08-18

基金项目：
陕西省教育科学“十三五”规划2020年度课题（SGH20Y1380）

作者简介：
韩芬（1982），女，陕西省咸阳市乾县，硕士研究生，中级工程师，研究方向为电力电子技术及其应用。
更新日期/Last Update: 1900-01-01