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[1]韩 芬,张艳肖,石 浩.SiC MOSFET在Boost电路中的应用[J].工业仪表与自动化装置,2021,(06):65-69.[doi:10.19950/j.cnki.cn61-1121/th.2021.06.012]
　HAN Fen,ZHANG Yan-xiao,SHI Hao.Application of SiC MOSFET in Boost Circuit[J].Industrial Instrumentation & Automation,2021,(06):65-69.[doi:10.19950/j.cnki.cn61-1121/th.2021.06.012]
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SiC MOSFET在Boost电路中的应用

《工业仪表与自动化装置》[ISSN:1000-0682/CN:61-1121/TH]

卷:
期数:
2021年06期
页码:
65-69
栏目:
出版日期:
2021-12-15

文章信息/Info

Title:
Application of SiC MOSFET in Boost Circuit
作者:
韩 芬; 张艳肖; 石 浩
（西安交通大学城市学院 电气与信息工程系，陕西 西安 710018）
Author(s):
HAN Fen; ZHANG Yan-xiao; SHI Hao
(Department of Electrical and Information Engineering，Xi’an Jiaotong University City College，Shaanxi Xi’an 710018，China)
关键词:
SiC MOSFET; 静态特性; 动态特性
Keywords:
SiC MOSFET; Static characteristics; Dynamic characteristics
分类号:
TN386.1
DOI:
10.19950/j.cnki.cn61-1121/th.2021.06.012
文献标志码:
A
摘要:
第三代半导体材料SiC功率器件由于高温、高频、高阻断电压等优良特性，有利于提升电能变换装置的功率密度和效率，减小重量和体积，降低制造成本。利用PSpice仿真软件测试SiC MOSFET和Si IGBT的静态特性，设计了SiC MOSFET的驱动电路，利用双脉冲电路测试SiC MOSFET的动态特性。分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用，利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号，最后搭建实验电路。实验结果表明，SiC MOSFET的开关响应速度快，导通电阻小，开关损耗小，电路效率高。
Abstract:
The third generation of semiconductor material SiC power device due to high temperature, high frequency, high blocking voltage and other excellent characteristics, is conductive to improve the power conversion device power density and efficiency, reduce the weight and volume, reduce the manufacturing cost. The static characteristics of SiC MOSFET and Si IGBT are tested by PSpice simulation software, the driving circuit of SiC MOSFET is designed, the dynamic characteristics of SiC MOSFET are tested by double pulse circuit, and the influence of different factors on switching characteristics is analyzed. The application of SiC MOSFET in Boost circuit is analyzed, double pulse and PWM signal are realized by single chip microcomputer STM32F407ZG. At last, the experimental circuit is built, and the experimental results show that the switching response of SiC MOSFET is fast, the on-on resistance is small, the switching loss is small, and the circuit efficiency is high .

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期：2021-07-21
基金项目：陕西省教育科学“十三五”规划2020年度课题(SGH20Y1380)
作者简介：韩芬（1982），女，陕西省咸阳市乾县人，硕士研究生，中级工程师，研究方向为电力电子技术及其应用。
更新日期/Last Update: 1900-01-01